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近400亿!ST将建全球首个全集成8英寸SiC工厂

发布日期:2024/06/04

5月31日,意法半导体宣布将在意大利卡塔尼亚建设世界首个全流程垂直集成的碳化硅(SiC)工厂。

意法半导体公司 (STMicroelectronics NV) 表示,计划斥资 50 亿欧元(54 亿美元)在意大利卡塔尼亚建造一家芯片和封装制造厂,这是一个多年期项目,部分资金来自欧盟的《芯片法案》。


该公司在一份声明中表示,意大利政府将在《芯片法案》框架内向意法半导体提供 20 亿欧元的补贴。该公司表示,该工厂将专门从事碳化硅制造以及测试和封装,将于 2026 年开始生产,目标是到 2033 年达到满负荷生产。满负荷生产时每周可生产多达15000片晶圆,即年产能48万片。

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▲ 厂区概念渲染图

报道称,这些设施与正在同一地点建设的SiC衬底制造设施相结合,将组成意法半导体的碳化硅园区,为在同一地点大规模生产SiC提供完全垂直整合的制造设施。

碳化硅园区被誉为支持汽车、工业和云基础设施应用领域 SiC 设备客户向电气化转型并追求更高效率的一个重要里程碑。

意法半导体总裁兼首席执行官 Jean-Marc Chery 表示:“卡塔尼亚碳化硅园区所释放的全面集成能力将在未来几十年内为意法半导体在汽车和工业客户中保持碳化硅技术领先地位做出重大贡献。”“该项目提供的规模和协同效应将使我们能够更好地利用大批量生产能力进行创新,造福于我们的欧洲和全球客户,帮助他们向电气化转型,寻求更节能的解决方案,实现脱碳目标。”

碳化硅园区将作为意法半导体全球碳化硅生态系统的中心,集成生产流程的所有步骤,包括碳化硅衬底开发、外延生长工艺、200毫米前端晶圆制造和模块后端组装,以及工艺研发、产品设计、芯片、电源系统和模块的先进研发实验室以及完整的封装能力。

所有这些将在欧洲实现首创的 200 毫米 SiC 晶圆的量产,该工艺的每个步骤(衬底、外延和前端以及后端)均使用 200 毫米技术来提高产量和性能。

在新冠疫情期间,供应链中断和需求判断错误导致短缺,《欧盟芯片法案》是全球政府为刺激半导体本地生产而采取的多项举措之一。欧盟委员会首次提出了价值 430 亿欧元的芯片法案,作为到 2030 年生产全球 20% 半导体的雄心勃勃目标的一部分。

欧盟的计划为欧盟投入数十亿欧元进行芯片研究铺平了道路,更重要的是,允许各国补贴“首创”芯片的生产。欧盟与美国、日本和韩国一起,正在向国内半导体行业投资数十亿欧元,尤其是在中美之间的紧张关系有可能扰乱供应链的情况下。

欧盟委员会批准的援助将以直接拨款约 20 亿欧元的方式,用于支持意法半导体生产碳化硅芯片,这种芯片比标准硅更节能。

意法半导体的计划表明,该公司有信心,近期电动汽车市场的疲软是暂时的,碳化硅芯片将会被汽车制造商更广泛地采用。

欧盟委员会的一份声明表示,在欧洲建立一家大型综合工厂来生产和封装碳化硅芯片将“对欧洲半导体生态系统产生广泛的积极影响”,并有助于保证区域供应安全。

“卡塔尼亚园区将有助于扭转过度依赖进口设备的趋势,这些设备对于欧洲数字化和绿色转型目标尤为重要。”

意法半导体是全球最大的碳化硅芯片制造商,这种芯片的生产成本比普通硅芯片更高,但由于其节能、重量轻且坚固,受到汽车制造商的青睐。

该公司的客户包括特斯拉、比亚迪、宝马以及雷诺。


本文转载自《 SEMI产业投资平台》微信公众号,原文发布于2024年6月3日。


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